FQB27N25TM-F085
Hersteller Produktnummer:

FQB27N25TM-F085

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQB27N25TM-F085-DG

Beschreibung:

FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

5600 Stück Neu Original Auf Lager
12996584
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FQB27N25TM-F085 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
131mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB27

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
231
Andere Namen
2156-FQB27N25TM-F085-600039

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
nxp-semiconductors

BUK7E3R1-40E,127

NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40

fairchild-semiconductor

FDP8442-F085

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

infineon-technologies

SPS04N60C3E8177AKMA1

LOW POWER_LEGACY

micro-commercial-components

MCAC60N08Y-TP

MOSFET N-CH DFN5060