Hersteller Produktnummer:
FQA9N90-F109
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQA9N90-F109-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 8.6A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
398 Stück Neu Original Auf Lager
12947105
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FQA9N90-F109 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
117
Andere Namen
2156-FQA9N90-F109
ONSFSCFQA9N90-F109
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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