Hersteller Produktnummer:
FQA6N70
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQA6N70-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
4865 Stück Neu Original Auf Lager
12823127
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FQA6N70 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
152W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
243
Andere Namen
2156-FQA6N70-FS
FAIFSCFQA6N70
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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