FJN4310RBU
Hersteller Produktnummer:

FJN4310RBU

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FJN4310RBU-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 40V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

39000 Stück Neu Original Auf Lager
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FJN4310RBU Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
FJN431

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FJN4310RTA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
11,539
Andere Namen
2156-FJN4310RBU-FS
FAIFSCFJN4310RBU

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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