Hersteller Produktnummer:
FDR8702H
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDR8702H-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 3.6A SUPERSOT
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
254870 Stück Neu Original Auf Lager
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FDR8702H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A, 2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
650pF @ 10V
Leistung - Max
800mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-8
Basis-Produktnummer
FDR87
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
398
Andere Namen
FAIFSCFDR8702H
2156-FDR8702H
2156-FDR8702H-FSTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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