FDPF5N50FT
Hersteller Produktnummer:

FDPF5N50FT

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDPF5N50FT-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

58950 Stück Neu Original Auf Lager
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FDPF5N50FT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
331
Andere Namen
2156-FDPF5N50FT
FAIFSCFDPF5N50FT

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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