FDPF10N50UT
Hersteller Produktnummer:

FDPF10N50UT

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDPF10N50UT-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12947211
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDPF10N50UT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
-
Reihe
UniFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1130 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDPF10N50UT Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
324
Andere Namen
FAIFSCFDPF10N50UT
2156-FDPF10N50UT

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
nxp-semiconductors

PMCM6501UNEZ

PMCM6501UNE - 20V, N-CHANNEL TRE

stmicroelectronics

STB47N60DM6AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

fairchild-semiconductor

FDMS0312S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

infineon-technologies

BTS114AE3045ANTMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1