Hersteller Produktnummer:
FDP8880
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDP8880-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
62900 Stück Neu Original Auf Lager
12946993
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDP8880 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 54A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
573
Andere Namen
FAIFSCFDP8880
2156-FDP8880
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FCPF260N60E
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FDB16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
