Hersteller Produktnummer:
FDP3672
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDP3672-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
9651 Stück Neu Original Auf Lager
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FDP3672 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
105 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1670 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
135W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
328
Andere Namen
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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