Hersteller Produktnummer:
FDMS8027S
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDMS8027S-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
18985 Stück Neu Original Auf Lager
12947123
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Menge
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EINREICHEN
FDMS8027S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®, SyncFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1815 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
347
Andere Namen
2156-FDMS8027S
FAIFSCFDMS8027S
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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