FDMS8026S

Hersteller Produktnummer:

FDMS8026S

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDMS8026S-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 19A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

42641 Stück Neu Original Auf Lager

12947026

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FDMS8026S Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Verpackung

Bulk

Reihe

PowerTrench®, SyncFET™

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

19A (Ta), 22A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 19A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2280 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-PQFN (5x6)

Paket / Koffer

8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

314

Andere Namen

2156-FDMS8026S

ONSONSFDMS8026S

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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