Hersteller Produktnummer:
FDMS7580
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDMS7580-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 29A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12000 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
FDMS7580 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
404
Andere Namen
2156-FDMS7580
FAIFSCFDMS7580
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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