FDMS4435BZ
Hersteller Produktnummer:

FDMS4435BZ

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDMS4435BZ-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

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FDMS4435BZ Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2050 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDMS4435BZ Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
532
Andere Namen
ONSONSFDMS4435BZ
2156-FDMS4435BZ

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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