FDG311N
Hersteller Produktnummer:

FDG311N

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDG311N-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

65240 Stück Neu Original Auf Lager
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FDG311N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
270 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDG311N Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,466
Andere Namen
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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