Hersteller Produktnummer:
FDFMA2P859T
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDFMA2P859T-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventar:
14392 Stück Neu Original Auf Lager
12901666
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FDFMA2P859T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MicroFET 2x2 Thin
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,110
Andere Namen
2156-FDFMA2P859T-FSTR
FAIFSCFDFMA2P859T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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