Hersteller Produktnummer:
FCP600N60Z
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCP600N60Z-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
781 Stück Neu Original Auf Lager
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FCP600N60Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
258
Andere Namen
2156-FCP600N60Z
ONSFSCFCP600N60Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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