Hersteller Produktnummer:
FCP25N60N-F102
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCP25N60N-F102-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12979262
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FCP25N60N-F102 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
-
Reihe
SupreMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
216W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
99
Andere Namen
2156-FCP25N60N-F102
ONSFSCFCP25N60N-F102
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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