Hersteller Produktnummer:
FCP170N60
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCP170N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
12955225
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FCP170N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2860 pF @ 380 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
85
Andere Namen
2156-FCP170N60
FAIFSCFCP170N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSM3J356R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
IRL530STRR
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
FDC658APG
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
