Hersteller Produktnummer:
FCH35N60
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCH35N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
12954285
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FCH35N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
-
Reihe
SuperMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6640 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
76
Andere Namen
2156-FCH35N60
FAIFSCFCH35N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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