Hersteller Produktnummer:
FCH041N65F-F085
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCH041N65F-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
163 Stück Neu Original Auf Lager
12954010
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FCH041N65F-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
304 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13566 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
595W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
32
Andere Namen
2156-FCH041N65F-F085
ONSFSCFCH041N65F-F085
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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