Hersteller Produktnummer:
EPC2106
Product Overview
Hersteller:
EPC
Teilenummer:
EPC2106-DG
Beschreibung:
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 1.7A Surface Mount Die
Inventar:
82724 Stück Neu Original Auf Lager
12795180
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
EPC2106 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
EPC
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Active
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
75pF @ 50V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
Die
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Basis-Produktnummer
EPC210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
917-1110-2
917-1110-1
917-1110-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
EPC2110
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE