Hersteller Produktnummer:
EPC2055
Product Overview
Hersteller:
EPC
Teilenummer:
EPC2055-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 29A (Ta) Surface Mount Die
Inventar:
30138 Stück Neu Original Auf Lager
12948556
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
EPC2055 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1111 pF @ 20 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Basis-Produktnummer
EPC20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
917-EPC2055TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFBC30ASPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IPP65R190CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
