EPC2049ENGRT
Hersteller Produktnummer:

EPC2049ENGRT

Product Overview

Hersteller:

EPC

Teilenummer:

EPC2049ENGRT-DG

Beschreibung:

GANFET N-CH 40V 16A DIE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 16A (Ta) Surface Mount Die

Inventar:

12802423
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

EPC2049ENGRT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC
Verpackung
-
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 15A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
805 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Basis-Produktnummer
EPC20

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
917-EPC2049ENGRDKR
917-EPC2049ENGRCT
917-EPC2049ENGRTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

BSZ076N06NS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON

infineon-technologies

BSS308PEL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

infineon-technologies

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON

infineon-technologies

IPB80N06S2L11ATMA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3