Hersteller Produktnummer:
EPC2035
Product Overview
Hersteller:
EPC
Teilenummer:
EPC2035-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) Surface Mount Die
Inventar:
24905 Stück Neu Original Auf Lager
12815553
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
EPC2035 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
115 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Basis-Produktnummer
EPC20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
917-1099-1
917-1099-2
917-1099-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
SI3134KL3-TP
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006-3
IRF3707Z
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB