EPC2001
Hersteller Produktnummer:

EPC2001

Product Overview

Hersteller:

EPC

Teilenummer:

EPC2001-DG

Beschreibung:

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 25A (Ta) Surface Mount Die

Inventar:

12815082
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

EPC2001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC
Verpackung
-
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
950 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Basis-Produktnummer
EPC20

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
500
Andere Namen
917-1014-2
917-1014-1
-917-1014-1
-917-1014-2
917-1014-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Alternative Modelle

Teilenummer
EPC2001C
HERSTELLER
EPC
VERFÜGBARE ANZAHL
122917
TEILNUMMER
EPC2001C-DG
Einheitspreis
2.28
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
texas-instruments

CSD25485F5T

MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR

infineon-technologies

IRFH7885TRPBF

MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN

infineon-technologies

IRF3707ZCSTRR

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

epc

EPC2016

GANFET N-CH 100V 11A DIE