Hersteller Produktnummer:
FBG10N05AC
Product Overview
Hersteller:
EPC Space, LLC
Teilenummer:
FBG10N05AC-DG
Beschreibung:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventar:
64 Stück Neu Original Auf Lager
12997446
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
Fj1B
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FBG10N05AC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC Space
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
233 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-SMD
Paket / Koffer
4-SMD, No Lead
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
169
Andere Namen
4107-FBG10N05AC
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPB65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK