BC849B
Hersteller Produktnummer:

BC849B

Product Overview

Hersteller:

Diotec Semiconductor

Teilenummer:

BC849B-DG

Beschreibung:

BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

39000 Stück Neu Original Auf Lager
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BC849B Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diotec Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
250 mW
Frequenz - Übergang
300MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BC849B
HTML-Datenblatt
BC849B-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2796-BC849BTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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