Hersteller Produktnummer:
ZXMP3F35N8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMP3F35N8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 9.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12902153
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ZXMP3F35N8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
77.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4600 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ZXMP3F35N8TADI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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