Hersteller Produktnummer:
ZXMN3B04N8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN3B04N8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
2078 Stück Neu Original Auf Lager
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ZXMN3B04N8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2480 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
ZXMN3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ZXMN3B04N8DKR-DG
ZXMN3B04N8CT-NDR
ZXMN3B04N8DKR
ZXMN3B04N8DKRINACTIVE
ZXMN3B04N8TR
ZXMN3B04N8TR-NDR
ZXMN3B04N8CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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