Hersteller Produktnummer:
ZXMN3A01FQTA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN3A01FQTA-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12978654
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ZXMN3A01FQTA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
ZXMN3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-ZXMN3A01FQTATR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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