Hersteller Produktnummer:
ZXMN10A08E6TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN10A08E6TA-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Inventar:
33748 Stück Neu Original Auf Lager
12902969
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ZXMN10A08E6TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
405 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-26
Paket / Koffer
SOT-23-6
Basis-Produktnummer
ZXMN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ZXMN10A08E6CT-NDR
Q3400736A
ZXMN10A08E6TR
ZXMN10A08E6TR-NDR
ZXMN10A08E6CT
ZXMN10A08E6DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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