Hersteller Produktnummer:
ZXMN10A08DN8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMN10A08DN8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Inventar:
2043 Stück Neu Original Auf Lager
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ZXMN10A08DN8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
405pF @ 50V
Leistung - Max
1.25W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
ZXMN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
ZXMN10A08DN8TACT-NDR
ZXMN10A08DN8TACT
ZXMN10A08DN8TATR-NDR
ZXMN10A08DN8TATR
ZXMN10A08DN8TADKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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