Hersteller Produktnummer:
ZXMHC10A07N8TC
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMHC10A07N8TC-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO
Inventar:
17688 Stück Neu Original Auf Lager
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ZXMHC10A07N8TC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA, 680mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Leistung - Max
870mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
ZXMHC10A07
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ZXMHC10A07N8DITR
ZXMHC10A07N8DICT
ZXMHC10A07N8DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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