Hersteller Produktnummer:
ZXMC10A816N8TC
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMC10A816N8TC-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventar:
10197 Stück Neu Original Auf Lager
12885286
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ZXMC10A816N8TC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Leistung - Max
1.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
ZXMC10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ZXMC10A816N8DICT
ZXMC10A816N8DITR
ZXMC10A816N8DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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