Hersteller Produktnummer:
ZXM62P02E6TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXM62P02E6TA-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventar:
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ZXM62P02E6TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
320 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-6
Paket / Koffer
SOT-23-6
Basis-Produktnummer
ZXM62P02
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ZXM62P02E6DKR
ZXM62P02E6CT
ZXM62P02E6TR
ZXM62P02E6TR-NDR
ZXM62P02E6
ZXM62P02E6CT-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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