Hersteller Produktnummer:
ZVN3310ASTZ
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZVN3310ASTZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventar:
12906218
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ZVN3310ASTZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
E-Line (TO-92 compatible)
Paket / Koffer
E-Line-3
Basis-Produktnummer
ZVN3310
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-ZVN3310ASTZDKR
31-ZVN3310ASTZDKR-DG
31-ZVN3310ASTZCT
31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE
ZVN3310ASTZ-DG
31-ZVN3310ASTZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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