Hersteller Produktnummer:
ZTX855STOA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZTX855STOA-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 4 A 90MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventar:
12886272
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ZTX855STOA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
260mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Leistung - Max
1.2 W
Frequenz - Übergang
90MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
E-Line-3
Gerätepaket für Lieferanten
E-Line (TO-92 compatible)
Basis-Produktnummer
ZTX855
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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