Hersteller Produktnummer:
ZTX651QSTZ
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZTX651QSTZ-DG
Beschreibung:
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 175MHz 1.5 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventar:
12979125
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ZTX651QSTZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
175MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
E-Line-3, Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
E-Line (TO-92 compatible)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-ZTX651QSTZTB
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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