Hersteller Produktnummer:
MMBTA55Q-13-F
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
MMBTA55Q-13-F-DG
Beschreibung:
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 500 mA 50MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
13000612
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MMBTA55Q-13-F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
310 mW
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-MMBTA55Q-13-FTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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