Hersteller Produktnummer:
HTMN5130SSD-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
HTMN5130SSD-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12905133
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HTMN5130SSD-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
218.7pF @ 25V
Leistung - Max
1.7W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
HTMN5130
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
HTMN5130SSD-13DICT
HTMN5130SSD-13DI-DG
HTMN5130SSD-13DITR
HTMN5130SSD-13DIDKR
HTMN5130SSD-13DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMNH6042SSDQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
7116
TEILNUMMER
DMNH6042SSDQ-13-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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