Hersteller Produktnummer:
DXTN10060DFJBQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DXTN10060DFJBQ-7-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 125MHz 1.8 W Surface Mount U-DFN2020-3 (Type B)
Inventar:
1669 Stück Neu Original Auf Lager
12989798
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EINREICHEN
DXTN10060DFJBQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
320mV @ 200mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
340 @ 200mA, 2V
Leistung - Max
1.8 W
Frequenz - Übergang
125MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-3 (Type B)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DXTN10060DFJBQ-7DKR
31-DXTN10060DFJBQ-7CT
31-DXTN10060DFJBQ-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DXTN10060DFJBWQ-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
431
TEILNUMMER
DXTN10060DFJBWQ-7-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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