Hersteller Produktnummer:
DXT5551P5Q-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DXT5551P5Q-13-DG
Beschreibung:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 130MHz 2.25 W Surface Mount PowerDI™ 5
Inventar:
10400 Stück Neu Original Auf Lager
12884386
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DXT5551P5Q-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
2.25 W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerDI™ 5
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI™ 5
Basis-Produktnummer
DXT5551
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
31-DXT5551P5Q-13DKR
DXT5551P5Q-13DI-DG
31-DXT5551P5Q-13TR
DXT5551P5Q-13DI
31-DXT5551P5Q-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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