DSM80101M-7
Hersteller Produktnummer:

DSM80101M-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DSM80101M-7-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 80V 0.5A SOT26
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 80 V 500 mA 600 mW Surface Mount SOT-26

Inventar:

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12884219
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DSM80101M-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN + Diode (Isolated)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
600 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-26

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1134-DSM80101M-7DITR
1134-DSM80101M-7DICT
1134-DSM80101M-7DIDKR
DSM80101M-7DICT
-DSM80101M-7DIDKR
DSM80101M-7DIDKR
-DSM80101M-7DITR
DSM80101M-7DITR
-DSM80101M-7DICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NSM80101MT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
803
TEILNUMMER
NSM80101MT1G-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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