DRDP006W-7
Hersteller Produktnummer:

DRDP006W-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DRDP006W-7-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 60V SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 60 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

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12921591
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DRDP006W-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DRD (xxxx) W
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DRDP006

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DRDP006W-7
HTML-Datenblatt
DRDP006W-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRDP006WDIDKR
31-DRDP006W-7TR
31-DRDP006W-7CT
DRDP006WDITR
DRDP006W7
DRDP006WDICT
31-DRDP006W-7DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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