DRDNB26W-7
Hersteller Produktnummer:

DRDNB26W-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DRDNB26W-7-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12888772
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DRDNB26W-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
220 Ohms
Widerstand - Emittersockel (R2)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
DRDNB26

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DRDNB26W-7
HTML-Datenblatt
DRDNB26W-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
diodes

DDTC115TKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3

diodes

DDTA114WE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

diodes

DDTC124EE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

diodes

DDTC115TUA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323