Hersteller Produktnummer:

DMW2013UFDEQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMW2013UFDEQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP)

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DMW2013UFDEQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

20 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

10.5A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.5V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

52.6 nC @ 8 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

2508 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

810mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Grad

Automotive

Qualifikation

AEC-Q101

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

U-DFN2020-6 (SWP)

Paket / Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

10,000

Andere Namen

31-DMW2013UFDEQ-13TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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