Hersteller Produktnummer:
DMTH6016LPDQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH6016LPDQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventar:
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DMTH6016LPDQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
864pF @ 30V
Leistung - Max
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Basis-Produktnummer
DMTH6016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH6016LPDQ-13CT
DMTH6016LPDQ-13-DG
31-DMTH6016LPDQ-13TR
31-DMTH6016LPDQ-13DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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