Hersteller Produktnummer:
DMTH6016LFDFW-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH6016LFDFW-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 9.4A (Ta) 1.06W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
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DMTH6016LFDFW-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
925 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.06W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMTH6016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMTH6016LFDFW-7TR
31-DMTH6016LFDFW-7CT
31-DMTH6016LFDFW-7DKR
DMTH6016LFDFW-7-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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