Hersteller Produktnummer:
DMTH6012LPSW-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH6012LPSW-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta), 50.5A (Tc) 2.8W (Ta), 53.6W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Inventar:
13270045
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DMTH6012LPSW-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
785 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type Q)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMTH6012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMTH6012LPSW-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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