DMTH6010LPDQ-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH6010LPDQ-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH6010LPDQ-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8

Inventar:

23404 Stück Neu Original Auf Lager
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DMTH6010LPDQ-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2615pF @ 30V
Leistung - Max
2.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8
Basis-Produktnummer
DMTH6010

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMTH6010LPDQ-13
HTML-Datenblatt
DMTH6010LPDQ-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMTH6010LPDQ-13DIDKR
DMTH6010LPDQ-13-DG
DMTH6010LPDQ-13DITR
DMTH6010LPDQ-13DICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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